【摘 要】
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英特尔公司用65 nm工艺制造出全功能70 Mbit静态随机存取存储器 (SRAM)芯片,在1块110 mm2面积的芯片上晶体管数超过了5亿只。这些晶体管的栅长为35 nm,比该公司先前采用的90
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英特尔公司用65 nm工艺制造出全功能70 Mbit静态随机存取存储器 (SRAM)芯片,在1块110 mm2面积的芯片上晶体管数超过了5亿只。这些晶体管的栅长为35 nm,比该公司先前采用的90 nm技术小30%。每一SRAM胞有6 只晶体管,所占封装面积为0.57μm2。
Intel Corp. manufactured a fully functional 70 Mbit static random access memory (SRAM) chip in a 65-nm process, surpassing 500 million transistors on a 110 mm2 chip. The gate length of these transistors is 35 nm, which is 30% smaller than the company’s previous 90 nm technology. Each SRAM cell has 6 transistors, the package area of 0.57μm2.
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