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由于发射结（ＥＢ结）价带存在着能量差ΔＥｖ，电流增益β不再主要由发射区和基区杂质浓度比来决定，给ＨＢＴ设计带来了更大的自由度。为减小基区电阻和防止低温载流子冻析，可增加基区浓度。但基区重掺杂导致禁带变窄，禁带变窄的非均匀性产生的阻滞电场使基区渡越时间增加，退桦了频率特性，特别是在低温下更为严重。