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基区不均匀重掺杂对Si/SiGe/Si HBT基区渡越时间的影响
由于发射结(EB结)价带存在着能量差ΔEv,电流增益β不再主要由发射区和基区杂质浓度比来决定,给HBT设计带来了更大的自由度。为减小基区电阻和......
期刊
异质结晶体管
掺杂
基区渡越时间
硅
锗化硅
HBT
Heterojunctiotransistor
BaseTransitTime
Semiconductor
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