温度和应变对InAs量子点荧光光谱的影响

来源 :山西大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:chenanji
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文章主要研究了InAs量子点样品在不同测试温度、激发功率和应变条件下的光致发光(PL)光谱的变化,发现随着测试温度的升高,样品对应的谱线发生红移且光谱强度降低.随着激发功率的提高,样品的PL谱线位置发生轻微的变化,谱线的强度明显增加.在对样品施加0.5%应变后,衬底对应的PL谱线峰位发生微弱的红移,强度增强,而量子点对应的谱线发生微弱的蓝移,其发光强度降低.
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