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报道了一个具低噪声性能的２￣２６ＧＨｚ ＧａＡｓ超宽带单片功率放大器的研究结果，介绍了模型提取、电路设计和单片制作的全过程，放大器采用分布式设计，在超宽带频率范围内增益为６．５±０．５ｄＢ，输入输出驻波比小于２．０在２￣２０ＧＨｚ内测得输出功率大于３００ｍＷ，噪声系数为３．５￣５．５ｄＢ。单片放大器包括所有匹配、隔直及偏置电路，芯片面积为３．２ｍｍ×１．２７５ｍｍ×０．１ｍｍ。