【摘 要】
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对InGaAsP半导体激活层中的近简并四波混频进行了理论分析和数值计算.实验观察了在工作波长为1.53μm的InGaAsP分布反馈(DFB)半导体激光器和外色散腔(EDC)半导体激光器中的近
【机 构】
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天津大学精密仪罢工程系 天津300072
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对InGaAsP半导体激活层中的近简并四波混频进行了理论分析和数值计算.实验观察了在工作波长为1.53μm的InGaAsP分布反馈(DFB)半导体激光器和外色散腔(EDC)半导体激光器中的近简并回波混频.观察到了透射增益对频率失谐的明显的不对称性.实验结果证实了载流子寿命应为～200—300ps.
Near-in-four-wave mixing in InGaAsP semiconductor active layer is theoretically analyzed and numerically calculated. In an InGaAsP distributed feedback (DFB) semiconductor laser with an operating wavelength of 1.53μm and an external dispersion cavity (EDC) semiconductor laser, Of the near-concordance and echo mixing.The obvious asymmetry of the transmission gain to the frequency detuning is observed.The experimental results confirm that the carrier lifetime should be ~ 200-300ps.
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