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韩国三星电子近日在京畿道华城举行20nm DRAM闪存量产庆祝仪式，三星电子表示，这标志着采用20nm级工艺的DRAM内存芯片将进入量产阶段，内存芯片纳米竞争已然落幕，从而正式迈入下一代芯片时代。
韩将迈入新一代芯片时代
【摘 要】
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韩国三星电子近日在京畿道华城举行20nm DRAM闪存量产庆祝仪式，三星电子表示，这标志着采用20nm级工艺的DRAM内存芯片将进入量产阶段，内存芯片纳米竞争已然落幕，从而正式迈入下一
【出 处】
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企业技术开发
【发表日期】
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2011年11期
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