【摘 要】
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利用射频磁控溅射（Radio frequency-magnetro sputtering,RF-MS）和电子束蒸发（Electron beam evaporation,E-BE）方法制备ZnO薄膜,并对两种方法制备的薄膜在400、450和500℃退火后
【基金项目】
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国家重点基础研究发展规划资助项目(2004CB619302)
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利用射频磁控溅射（Radio frequency-magnetro sputtering,RF-MS）和电子束蒸发（Electron beam evaporation,E-BE）方法制备ZnO薄膜,并对两种方法制备的薄膜在400、450和500℃退火后的微观结构、光学与电学性能进行比较.结果表明,RF-MS比E-BE制备的ZnO薄膜的晶粒细小且均匀,表面粗糙度小.两种方法制备的ZnO薄膜的平均透光率均大于80%,且随温度升高均表现出禁带宽度变小以及在380 nm附近出现近带边发射和绿光发射现象.此外,E-
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