InGaAlP／InGaP多量子阱中的红外向可见光的上转换

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：haokanhaowan123

【摘要】

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利用808nm激光二极管泵浦的Nd:YAG晶体发出的1064nm皮秒激光器实现了InGaAlP多量子阱材料的红外1064nm向可见光波长660nm、625nm、580nm的上转换,并且通过条纹相机收集的时间

【作者】

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尉吉勇黄柏标于永芹张琦姚书山张晓阳秦晓燕

【机构】

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山东大学晶体材料研究所

【出处】

：

人工晶体学报

【发表日期】

：

2005年4期

【关键词】

：

INGAALP 量子阱光学上转换双光子吸收 InGaAlP quantum well upconversion two photon absorptio

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利用808nm激光二极管泵浦的Nd:YAG晶体发出的1064nm皮秒激光器实现了InGaAlP多量子阱材料的红外1064nm向可见光波长660nm、625nm、580nm的上转换,并且通过条纹相机收集的时间分辨表征了此材料的上转换激发态的寿命.波长1064nm向625nm的上转换激发态寿命约为5ns,而1064nm向660nm的上转换激发态寿命约为7ns.通过双光子原理解释了此现象.

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