INGAALP相关论文
近几年来人们对采用MOCVD技术在GaAs衬底上生长的晶格匹配In_(0·5)(Ga_(1-x)Al_x)_(0·5)P进行了深入的研究,以便开发红光发射(6......
根据已经发表的有关文献实验数据 ,针对InGaAlP发光材料的LP -MOCVD生长 ,给出了描述In组分偏离的经验表达式 ,可应用于InGaAlP双......
根据发光波长、化合物半导体的能带隙和晶格常数三者的关系和实验数据，研究设计了ＩｎＧａＡｌＰ双异质结各层的ｘ，ｙ值组成、掺杂浓度、厚度等整个ＬＥＤ的管......
InGaAlP双异质结LED结构设计的目的在于减少器件的光、电、热损耗 本文分析各层成分、层厚度、掺杂浓度以及有关的辅助技术 ,例如......
已制出具有防反射涂层和高反射涂层的宽接触区InGaAlP可见光激光二极管。在2℃热沉温度下可获得高于300mW的大功率CW工作。这个值......
具有四元有源层的InGaAlP可见光激光二报管成功地实现了638nm室温(25℃)连续波工作。用金属有机化学汽相淀积法制作了横模稳定的选......
,Evaluation of current and temperature effects on optical performance of InGaAlP thin-film SMD LED m
The relationship between the photometric,electric,and thermal parameters of light-emitting diodes (LEDs) is important fo......
以InGaAlP为代表的四元化合物作为高亮度发光二极管(LED)材料正在引起广泛的重视.该论文针对高亮度发光二极管(LED)器件与材料,利......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
InGaAlP双异质结LED结构设计的目的在于减少器件的光、电、热损耗.本文分析各层成分、层厚度、掺杂浓度以及有关的辅助技术,例如厚......
本文分析了低压转盘MOCVD生长室中气流的流动特征，首次提出了在高温(700℃左右)下生长InGaAlP外延层时，抑制In组分脱吸附的"动压力模......
利用LP-MOCVD分别生长Zn和S掺杂的In0.5(Ga1-xAlx)0 5P外延层,研究生长温度、掺杂源流量、V/Ⅲ比、Al组分以及衬底晶向偏离等生长......
介绍了ＩｎＧａＡｌＰ超高亮度发光二极管的材料．器件、特性、结构及其应用。现已发展和生产坎德拉级的超高亮度橙红色、黄色和绿色发光二极管。......
介绍了ＩｎＧａＡｌＰ超高亮度发光二极管的材料．器件、特性、结构及其应用。现已发展和生产坎德拉级的超高亮度橙红色、黄色和绿色发光二极管。......
具有四元有源层的InGaAlP可见光激光二报管成功地实现了638nm室温(25℃)连续波工作。用金属有机化学汽相淀积法制作了横模稳定的选......
利用SIMS分析技术，研究了在InGaAlP和GaP材料，MOCVD工艺参数对Mg的掺杂行为的影响，实验结果表明，在较高温度下，Mg在生长表面的再蒸发决......
已制出具有防反射涂层和高反射涂层的宽接触区InGaAlP可见光激光二极管。在2℃热沉温度下可获得高于300mW的大功率CW工作。这个值......
本文分析了低压转盘MOCVD生长室中气流的流动特征，首次提出了在高温（700℃左右）下生长InGaAlP外延层时，抑制In组分脱吸附的“动压力模......
分析了ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长ＩｎＧａＡｌＰ外延层时，气路系统中ＩＩＩＡ族源气的输运和扩散过程，从理论止推导出源气流量的计算公式，讨论了生长控制参数、气路管道几何尺寸和......
ＩｎＧａＡｌＰ双异质结ＬＥＤ结构设计的目的在于减少器件的光，电，热损耗。本文分析各层成分，层厚度，掺杂浓度以及有关的辅助技术，例如厚电流扩展层，电流隔离......
ＩｎＧａＡｌＰ双异质结ＬＥＤ结构设计的目的在于减少器件的光，电，热损耗。本文分析各层成分，层厚度，掺杂浓度以及有关的辅助技术，例如厚电流扩展层，电流隔离......
分析了In原子在InGaAlP外延生长表面的扩散、并入及脱附过程,给出了In并入外延层的效率表达式.依据该表达式,解释了生长速率、生长......
利用808nm激光二极管泵浦的Nd:YAG晶体发出的1064nm皮秒激光器实现了InGaAlP多量子阱材料的红外1064nm向可见光波长660nm、625nm、......
报道了大功率高亮度InGaAlP红光LED芯片的设计和工艺制备,实验芯片采用环形插指状电极。和传统的LED芯片相比较,环形插指状电极LED......
