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在ＭＯＳ结构的窄沟器件，倒比器件中，鸟咀区下的势垒层所构成的非本征电容Ｃｇｂ０对集成电路的高频特性有较大影响，但由于它与本征电容并联，且有杂散电容的影响，不易测准，本文研究了精确测量Ｃｇｂ０的方法，同时也发现它的值不是常数，并给了Ｃｇｂｏ随Ｖｇｂ变化的经验公式。
MOS器件鸟咀区非本征电容研究
【摘 要】
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在ＭＯＳ结构的窄沟器件，倒比器件中，鸟咀区下的势垒层所构成的非本征电容Ｃｇｂ０对集成电路的高频特性有较大影响，但由于它与本征电容并联，且有杂散电容的影响，不易测准，本文研究了精确测量Ｃｇｂ０的方
【机 构】
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复旦大学国家微分析中心
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1998年10期
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