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ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系列激光器由于其Ｔ０小，且受环境温度影响大，所以用一般结构制作阵列器件是很困难的。采用大光腔（ＬＯＣ）结构的激光器，其Ｔ０值可达１００￣１４０Ｋ，单个１．３μｍ激光器，脉冲峰值功率超过３Ｗ，单个１．５５μｍ激光器，脉冲峰值功率超过２Ｗ。用它们的芯片研制了堆积旬激光器。在研制中发现阵列的输出功率小于各单位器件输出功率之和；而减小的比率随着单元数目增加而增加。所制成的３×４单元的