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GaInAsP/InP系列激光器由于其T0小,且受环境温度影响大,所以用一般结构制作阵列器件是很困难的。采用大光腔(LOC)结构的激光器,其T0值可达100 ̄140K,单个1.3μm激光器,脉冲峰值功率超过3W,单个1.55μm激光器,脉冲峰值功率超过2W。用它们的芯片研制了堆积旬激光器。在研制中发现阵列的输出功率小于各单位器件输出功率之和;而减小的比率随着单元数目增加而增加。所制成的3×4单元的