休斯研究实验室的等离子体离子植入技术

来源 :国外核聚变与等离子体应用 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zfx249220414

【摘要】

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在休斯研究实验室（ＨＲＬ）的等离子体离子植入（ＰＩＩ）项目的一个主要目的是评价和应用ＰＩＩ技术，以改进在航空航天、防御和工业应用中的金属和非金属材料的摩擦性能。ＨＲＬＰＩＩ设备包括一个直径４ｆｔ长度８ｆｔ的真空

【作者】

：

Mato. JN 罗治

【出处】

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国外核聚变与等离子体应用

【发表日期】

：

1995年6期

【关键词】

：

等离子体源脉冲调制器等离子体植入

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在休斯研究实验室（ＨＲＬ）的等离子体离子植入（ＰＩＩ）项目的一个主要目的是评价和应用ＰＩＩ技术，以改进在航空航天、防御和工业应用中的金属和非金属材料的摩擦性能。ＨＲＬＰＩＩ设备包括一个直径４ｆｔ长度８ｆｔ的真空室（能植入重达７０００Ｉｂ的物体）和一个提供植入脉冲电压的高功率（１００ｋＷ）、高电压（１００ｋＶ）脉冲调制器。已研制了先进的等离子体源来产生原子及分子的氮和氧离子，并开发了ＰＩＩ工艺来处

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