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在n型ZnO体单晶片上，首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了P型ZnO薄膜，制成了同质ZnO的发光二极管（LED）原型器件；在室温下，观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱．
MOCVD法制备ZnO同质发光二极管
【摘 要】
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在n型ZnO体单晶片上，首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了P型ZnO薄膜，制成了同质ZnO的发光二极管（LED）原型器件；在室温下，观察到同质ZnO的LED施加电压后由电
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2005年11期
【基金项目】
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国家重点基础研究专项经费（批准号：G2000068306）,国家自然科学基金（批准号：90201038）和香港一大陆两地基金资助项目
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