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将加工成一定形状的高电阻率GaAs：Cr：n光电导块放入中子场中辐照，以便减少电荷载流子寿命，再将经过辐照并冷却的GaAs：Cr：n样品置入同轴结构的微带线上。这一技术使GaAs：Cr：n成为皮秒时间响应的光电器件并被用作超高速探测器和光电开关。
超快GaAs:Cr:n光电导器件及应用
【摘 要】
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将加工成一定形状的高电阻率GaAs：Cr：n光电导块放入中子场中辐照，以便减少电荷载流子寿命，再将经过辐照并冷却的GaAs：Cr：n样品置入同轴结构的微带线上。这一技术使GaAs：Cr：n成为皮秒
【机 构】
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成都核物理与化学研究所!成都,610003
【出 处】
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激光与光电子学进展
【发表日期】
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1999年S1期
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