激光等离子体淀积硅薄膜过程动力学研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：czy239239

【摘要】

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采用强TEA CO_2脉冲激光辐照SiH_4/H_2系统,对SiH_4激光等离子体淀积硅膜进行了研究,测量了膜淀积及膜性能随淀积条件的变化关系.同时采用光学发射光谱、光声激光偏转方法对

【作者】

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董丽芳傅广生

【机构】

：

HebeiUniv

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1989年4期

【关键词】

：

激光等离子体淀积硅薄膜动力学 Laser plasma deposition kinetic model Film growth

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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采用强TEA CO_2脉冲激光辐照SiH_4/H_2系统,对SiH_4激光等离子体淀积硅膜进行了研究,测量了膜淀积及膜性能随淀积条件的变化关系.同时采用光学发射光谱、光声激光偏转方法对其基本的微观和宏观动力学过程进行了研究,在此基础上初步建立了膜淀积的物理模型,计算了膜淀积速率、膜面积等,结果与实验符合得较好.

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