干法腐蚀相关论文
在光栅的制作中有两种方法:一个是湿法,另一个是干法.由于DBF激光器的光栅用湿法腐蚀的方法有很多缺点,我们就采用了干法腐蚀在InP......
综合了 Ga As和 In P基 HFET工艺中的选择腐蚀技术的有关报道 ,重点介绍了应用 ICP设备和气体组合 BCl3+ SF6 进行异质结材料组合......
本文研制的单晶硅微型阀是为了硅微型泵的应用专门设计的,但是微型阀本身也可以作为流体控制器件.文中详细说明了微型阀的设计和加......
采用 RIE 法,利用 PIN 光电二极管,研究了干法腐蚀损伤机理及引起损伤的主要因素。由于离子轰击及电子、紫外线辐射,形成了腐蚀面......
我们采用等离子束轰击的方法,研究了干法腐蚀对多晶CdTe薄膜结构和性能的变化,以及对CdTe太阳电池性能的影响。发现与湿法腐蚀方法......
我们已经开发了应用于InAlAs/InGaAs异质结构的大面积光化学选择性干法腐蚀.其中,使用CH_3Br气体和一个低压汞灯.InGaAs层的腐蚀速......
介绍了对ＳｉＧｅ／Ｓｉ材料干法，湿计腐蚀的机理，腐蚀方法，影响腐蚀的主要因素，以及其在制造异１质结晶体管中的应用。......
介绍了用于固体激光器被动锁模自启动实现飞秒级脉冲输出的两种波长的带半导体可饱和吸收镜(800nm和1550 nm SESAMs)的研制方法和......
干法腐蚀与传统的湿法腐蚀相比,具有明显的各向异性,并且具有较好的可重复性、可控性及在硅片加工中易实现连续生产等优点,已成为......
ＧａＮ短波长激光器是最近取得突破性进展而备受关注的光是这研究新域。本文简要论述了２０多年来在发展ＧａＮ发光器件过程中所克服的困难，介绍了目......
干法腐蚀的最新进展使其成为微铸模制造中有发展前途的工艺技术，就像ＤＥＥＭＯ工艺展示的那样，高深宽比，方向自由度，低不平度，高腐蚀速率以及对掩......
高精度ＬＩＧＡ掩模研究洪义麟，付绍军，田扬超，陶晓明（中国科技大学国家同步辐射实验室）０引言作者通过改进工艺、采用图形发生器直接在掩模基片上......
本文对VLSI中双层多晶硅结构的剖面及用于结构成形的干法腐蚀技术进行了研究,获得了优化的剖面结构.研究分析表明,多晶硅Ⅰ的侧墙......
无显影气外光废是我国首先发现的一项干法腐蚀技术。通过对其机理的不断研究发现，添加在光刻胶中的添加剂促进ＨＦ气体在高温下得到活性......
本文从干法腐蚀角度出发,首先从数学上分析了多晶硅角度,SiO_2边墙的宽度和高度,衬底损失与各工艺参数间的关系,指出边墙的宽度和......
本文介绍等离子体腐蚀工艺、诊断和终点检测方法,包括有关的腐蚀机理以及气体组分的比较。同时,指出等离子体腐蚀工艺的发展趋势。......
本文介绍一种新的干法腐蚀工艺——化学辅助离子束蚀刻(CAIBE),或者称作离子束辅助蚀刻(IBAE),它具有各向异性腐蚀,高的腐蚀选择比......
提供了一种考虑到微制造工艺实际的对微胶体推进器的起始电压进行估计的方法.本方法的关键在于把基于深度干法腐蚀的微推进器的两......
背面通孔是GaAs MMIC制造工艺中的一个重要步骤.通路孔在接地灵活性和减少接地电感方面比其它接地方法更具优越性[1].背面通孔的形......
在光栅的制作中有两种方法:其中一个是湿法,另外一个是干法。本文分别就湿法和干法的实验结果,进行比较。用于法刻蚀方法做出了比......
在ＭＭＳＴ规划中，为得到期望的快周期、低成本的硅片加工工艺，大多数腐蚀工艺是在ＴＩ（德克萨斯仪器公司）设计和建造的先进的真空反应设备上完成的......
综合了 Ga As和 In P基 HFET工艺中的选择腐蚀技术的有关报道 ,重点介绍了应用 ICP设备和气体组合 BCl3+ SF6 进行异质结材料组合......
众所周知,采用传统的缩小器件尺寸的方法来提高晶体管性能越来越受到成本和技术的限制,从而限制了摩尔定律的进一步发展。绝缘衬底......
随着红外与太赫兹波研究工作的深入开展，红外与太赫兹波的应用范围在逐年扩大，衍射器件的研发已成为其中的一个重要研究方向，受到了广......
本文首先对脊型半导体激光器的发展和应用进行了综述,其次对脊型半导体激光器的发光原理、材料、结构进行了理论分析,进而对脊型半......
