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采用光学显微镜和光学轮廓仪分析了 InSb 晶片（111）A 面经特定腐蚀剂腐蚀后出现的两种特征腐蚀坑，并通过多次腐蚀试验观察了这两种腐蚀坑形貌的演变。从理论上对腐蚀坑形貌的成因进行了分析，结果显示1类特征腐蚀坑的成因是由于晶片固有的位错缺陷，2类特征腐蚀坑可能是由于晶片表面存在一定深度的损伤层引起的。