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氮化物半导体材料，也称为氮化镓（GaN）基材料，是继硅（Si）、砷化镓（GaAS）之后的第3代半导体材料，包含了GaN、氮化铝（AlN）和氮化铟（InN）及它们的合金（禁带宽度范围为0．7～6．2eV），是直接带隙半导体，
全球氮化镓激光器材料及器件研究现状
【摘 要】
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氮化物半导体材料，也称为氮化镓（GaN）基材料，是继硅（Si）、砷化镓（GaAS）之后的第3代半导体材料，包含了GaN、氮化铝（AlN）和氮化铟（InN）及它们的合金（禁带宽度范围为0．7～6．2eV），是直接带隙半导体，
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
【出 处】
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新材料产业
【发表日期】
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2015年10期
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