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对垂直于沟道的二维电势分布函数提出了一种新的近似，给出了基于这种近似的杂质浓度呈高斯分布的非均匀掺杂全耗尽SOI-MOSFET的阈值电压解析模型，模型结果与MEDICI数值模拟结果符合得很好，表明了模型的准确性，这为实践中分析与控制非均匀掺杂的全耗尽SOI-MOSFET的阈值电压提供了一种新的途径。