【摘 要】
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采用直流磁控溅射方法成功地制备了Al膜，研究了退火温度对Al膜表面形貌、晶体结构、应力、择优取向及反射率的影响。研究表明：不同退火温度的薄膜晶粒排布致密而光滑，均方根粗糙
【机 构】
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中国工程物理研究院激光聚变研究中心,四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室
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采用直流磁控溅射方法成功地制备了Al膜，研究了退火温度对Al膜表面形貌、晶体结构、应力、择优取向及反射率的影响。研究表明：不同退火温度的薄膜晶粒排布致密而光滑，均方根粗糙度小。XRD测试表明：不同温度退火的铝膜均成多晶状态，晶体结构为面心立方，退火温度升高到400℃时，Al膜的应力最小达0．78GPa，薄膜平均晶粒尺寸由18．3nm增加到25．9nm；随着退火温度的升高，（200）晶面择优取向特性变好。薄膜紫外-红外反射率随着退火温度的升高而增大。
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