多孔硅发光峰位波长为370nm的紫外光发射

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对特定工艺制备的多孔硅进行干氧氧化处理,观察到光致发光峰位波长为370nm左右的紫外光发射,紫外光强度与高温氧化温度有关,当氧化温度为1000℃时,多孔硅紫外光发射最强,而在1150℃温度下氧化5min,多孔硅纳米硅粒消失后,紫外发射变得很弱。紫外光峰位与氧化温度无关,但在1000℃氧化的多孔硅光致发光谱中出现附加的位于360nm的发光峰。如认为光激发主要发生在多孔硅的纳米硅粒中,而光发射主要发生
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