【摘 要】
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针对硅波导粗糙侧壁引起的散射损耗是影响SOI微环谐振腔传输性能主要因素的问题,采用热氧化对MEMS工艺制备的微环谐振腔粗糙侧壁进行表面光滑化修饰。利用耦合实验测试其传输
【机 构】
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中北大学电子测试技术国家重点实验室
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针对硅波导粗糙侧壁引起的散射损耗是影响SOI微环谐振腔传输性能主要因素的问题,采用热氧化对MEMS工艺制备的微环谐振腔粗糙侧壁进行表面光滑化修饰。利用耦合实验测试其传输性能,同时分析了热氧化温度与微环谐振腔传输特性之间的关系。实验结果表明,氧化温度在1 000℃时,硅波导粗糙侧壁改善效果明显,此时微环谐振腔具有较好的耦合效率和较高的Q值,Q值高达1.2×104。实验结果为硅波导传感器表面光滑化研究提供了重要的参考依据。
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