【摘 要】
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报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化。形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜 ,形貌的发展显示GaN经历了横向生长的阶段。利用原子力显微镜
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室,中国科学院半导体研究
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报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化。形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜 ,形貌的发展显示GaN经历了横向生长的阶段。利用原子力显微镜有数字化记录的特点 ,从形貌的观察中也得到了外延层高度分布 ,发现高度分布可用单峰或多峰高斯分布拟合。通过与形貌特征的对比 ,发现宽而且不对称的分布对应着岛状的外延层形貌 ,可以用多峰高斯分布拟和 ;窄而且对称的分布则对应着比较连续的膜 ,可以用单峰高斯分布拟和。
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