基于改进粒子群优化算法nMOSFET寿命预测

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对于电子器件寿命预测问题,提出了基于改进粒子群优化算法的BP神经网络电子器件寿命预测方法。首先对nMOSFET器件在不同应力条件下进行寿命试验,根据试验测试获得的寿命数据,得出对应的可靠性。通过结合改进粒子群优化算法和BP神经网络结合,建立电子器件寿命预测模型,应用该模型对相同应力条件的电子器件寿命进行预测,同时对应力加速条件下寿命的预测。通过试验证明,该算法具有更强的非线性拟合能力和更高的准确率。
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