SiGe CMOS结构与模拟分析

来源 :西安电子科技大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：hecheng555

【摘要】

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提出了一种新的SiGe CMOS结构,应用MEDICI软件对该结构CMOS器件的主要电学参数与其几何结构和物理结构参数的关系进行了模拟分析.根据模拟结果,讨论分析了应变SiGe层、弛豫Si

【作者】

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戴显英郝东艳张鹤鸣胡辉勇吕懿

【机构】

：

西安电子科技大学,微电子所,陕西,西安,710071

【出处】

：

西安电子科技大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2004年3期

【关键词】

：

SiGe CMOS 结构模拟电学性能

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提出了一种新的SiGe CMOS结构,应用MEDICI软件对该结构CMOS器件的主要电学参数与其几何结构和物理结构参数的关系进行了模拟分析.根据模拟结果,讨论分析了应变SiGe层、弛豫SiGe层中Ge组分及Si“帽”层厚度等结构参数对SiGe CMOS电学性能的影响,给出了该结构的几何结构和物理结构参数.同时模拟了SiGe CMOS倒相器的传输特性.

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