1999年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要(3)

来源 :电子产品可靠性与环境试验 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Elf_nastia
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 156.铜互连中的表面电迁移 (Surface Electromigration in Copper Interconnects)──1999 International Reliability Physics Symposium pp.270- 276.   文章对RF磁控溅射淀积铜膜在微结构、应力和电阻率方面的特性进行了研究。我们将这种铜膜的电迁移特性与溅射铝膜进 156. Surface Electromigration in Copper Interconnects ──1999 International Reliability Physics Symposium pp.270-276. The article discusses the microstructures, stress and resistivity properties of copper films deposited by RF magnetron sputtering Were studied. We will electromigration characteristics of this copper film and sputtering aluminum film into
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