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研究了常规LEDMOS，带有两块多晶硅场极板LEDMOS以及带有两块多晶硅场极板和一块铝场极板的LEDMOS表面电场分布情况，重点研究了多块场极板在不同的外加电压下，三种LEDMOS的表面峰值电场和导通电阻的变化情况。模拟结果和流水实验结果都表明：多块场极板是提高LEDMOS击穿电压的一种有效方法。而且场极板对导通电阻的影响很小。研究结果还表明：由于金属铝引线下面的氧化层很厚．所以铝引线几乎不会影响到LEDMOS的击穿特性。