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采用磁控溅射法在n-Ge表面镀镍薄膜，通过改变快速热处理时间研究镍对锗单晶的导电型号、电阻率和少子寿命的影响，以及镍在锗中的扩散行为。结果表明：镍在锗中具有向内扩散和向外扩散两种行为，并以受主状态存在，改变了锗内部的载流子的分布；775℃热处理后，镍受主完全补偿原有的施主，使锗由n型转变为P型，随着热处理时间的增加，电阻率下降，镍受主浓度增加。即使微量的镍就可以使锗的少子寿命直线下降至零点几微秒，这表明镍在锗中会引入深能级。