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利用热生长工艺和热蒸发方法分别获得CuPc和SiO2薄膜层，通过原子力显微镜和X射线光电子能谱对其表面界面电子状态进行了研究，并采用高斯拟合方法对各谱进行了详细分析．结果表明，在氧原子的作用下，N1s，C1s，O1s和Cu2p都经受了一定的化学位移，从而使得各原子间的相互作用强度有所改变，这是导致OFET性能劣化的重要原因之一，对OFET而言，采用溅射工艺制备的SiO2层应比热氧化生长的SiO2层更合适。