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期刊论文
MOSFET衬底电流模型及参数提取
MOSFET衬底电流模型及参数提取
来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:aiqiphilip
【摘 要】
:
在短沟道MOSFET器件物理的基础上,导出了其衬底电流解析模型,并通过实验进行了模型参数提取。模型输出与短沟MOSFET实测结果比较接近,可应用于VLSI/ULSI可靠性模拟与监测研究和亚微米CMOS电路设计。
【作 者】
:
刘永强
于奇
刘玉奎
李竞春
陈勇
【机 构】
:
电子科技大学微电子科学与工程系,电子工业部第二十四研究所
【出 处】
:
微电子学
【发表日期】
:
1999年3期
【关键词】
:
MOSFET
半导体器件
衬底电流模型
参数提取
MOSFET
Semiconductordevice
Substratecurrentmodel
Parame
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在短沟道MOSFET器件物理的基础上,导出了其衬底电流解析模型,并通过实验进行了模型参数提取。模型输出与短沟MOSFET实测结果比较接近,可应用于VLSI/ULSI可靠性模拟与监测研究和亚微米CMOS电路设计。
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