论文部分内容阅读
采用射频磁控溅射方法，用Ga2O3含量为1％的ZnO做靶材，在不同基体温度和不同溅射压强的条件下制备了高质量的GZO透明导电薄膜．结果表明：基体温度和氩气压强对GZO薄膜的晶体结构、光电性能有较大影响．当温度为500℃，溅射气压为0．2pa时制备的GZO薄膜光电性能较优，方块电阻为7．8Ω／，电阻率为8．58×10^-4×·cm，可见光的平均透过率为89．1％．