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由中昊光明公司自主研发的“一种深度脱除氧化亚氮中水和二氧化碳的装置与方法”获得国家发明专利授权，专利号为ZL201410360551．9。高纯氧化亚氮主要用于半导体光电器件研制生产的介质膜工艺，是直接影响光电器件质量不可替代的关键气体。
中昊光明公司获一发明专利授权
【摘 要】
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由中昊光明公司自主研发的“一种深度脱除氧化亚氮中水和二氧化碳的装置与方法”获得国家发明专利授权，专利号为ZL201410360551．9。高纯氧化亚氮主要用于半导体光电器件研制生
【出 处】
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低温与特气
【发表日期】
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2016年4期
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