【摘 要】
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利用高分子支撑法将气相沉积（CVD）石墨烯从铜基底上转移到聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）基底上,制备出石墨烯平面电极（GPE）,通过循环伏安法将铁氰化钴（Co HCF）纳米颗沉积到GPE上,得到铁
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利用高分子支撑法将气相沉积（CVD）石墨烯从铜基底上转移到聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）基底上,制备出石墨烯平面电极（GPE）,通过循环伏安法将铁氰化钴（Co HCF）纳米颗沉积到GPE上,得到铁氰化钴修饰石墨烯平面电极（Co HCF/GPE）。研究表明,此电极对过氧化氢具有良好的传感作用,从而构建一种新型无酶过氧化氢传感器。此传感器在过氧化氢浓度为5.0-1200μmol/L范围内,响应电流与浓度呈现良好的线性关系,检出限为7.1 nmol/L（S/N=3）,响应时间约为2 s,具有稳定性好、抗干扰能力
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