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利用射频等离子体增强化学气相沉积（RF—PECVD）技术，以B2H6为掺杂剂，在玻璃衬底上制备了厚度为40nm左右的P型微晶硅薄膜。为获得高电导率高晶化率的薄膜，采用正交实验法对衬底温度、氢稀释比及硼烷掺杂比等主要沉积参数进行初步优化。Raman光谱和电导率测试结果表明：（1）在实验选取的参数范围内，衬底温度是影响薄膜暗电导率和晶化率的最主要因素，其次是氢稀释比，硼烷掺杂比的影响相对较小；（2）通过正交优化，获得了暗电导率为2．05S·cm^-1、晶化率为86％的P型微晶硅薄膜。