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介绍了微波低噪声ＧａＡｓＦＥＴ恒定应力加速寿命试验结果，沟道温度Ｔｃｈ为１４５℃时，平均寿命ＭＴＴＦ为９．６４×１０＾６ｈ，最主要的失效模式是源漏饱和电流ＩＤｓｓ退化降低。建立了表征ＧａＡｓＦＥＴ稳定性的敏感参数ＩＤｓｓ的退化模型ＩｎＰ＝α＋ｂｌｎｔ，分析了ＩＤｓｓ退化与温度应力的加速关系。提出了快速推断器件可靠性的建议。