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ＧａＩｎＳｂ三元合金半导体可用于制作工作于１．５５～５．５μｍ波段范围的光电子器件．在光通讯方面，需要２．５５μｍ波长的激光器和接收器，ＧａＩｎＳｂ半导体合金无疑是一种可选的材料．此外，这种材料也可用于制作高速电子器件，与ＧａＡｓ基异质结构相比，Ｇａ...
GaInSb/GaSb量子阱结构的低温光致发光谱
【摘 要】
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ＧａＩｎＳｂ三元合金半导体可用于制作工作于１．５５～５．５μｍ波段范围的光电子器件．在光通讯方面，需要２．５５μｍ波长的激光器和接收器，ＧａＩｎＳｂ半导体合金无疑是一种可选的材料．此外，这种材料也可用于制作高速电子器件，与ＧａＡｓ基
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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1999年2期
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