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系统研究了热解和氧化条件对聚碳硅烷氮化热解法制备SiNO陶瓷的影响.研究发现,氮化脱碳反应主要发生在800℃之前,且脱碳彻底,碳质量分数低于1%;在氮气气氛下继续烧成,最终生成陶瓷的氮质量分数可达35.65%.氮化前对聚碳硅烷进行氧化交联可提高陶瓷产率至61.84%,但是产物中氮质量分数显著降低到20%以下,产物为无定型态的SiNO陶瓷.