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半绝缘GaAs光电导开关散射机制的比较
半绝缘GaAs光电导开关散射机制的比较
来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sduheaven
【摘 要】
:
从量子力学的微扰理论入手,总结并比较了半绝缘GaAs光电导开关中主要的散射机制的散射率表达式和散射终态,给出了所选择的散射机制下的模拟结果及其分析。
【作 者】
:
侯军燕
戴慧莹
施卫
董秋霞
【机 构】
:
空军工程大学理学院,西安理工大学应用物理系
【出 处】
:
半导体技术
【发表日期】
:
2006年12期
【关键词】
:
散射机制
蒙特卡罗方法
散射率
scattering mechanism
Monte Carlo method
scattering rate
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从量子力学的微扰理论入手,总结并比较了半绝缘GaAs光电导开关中主要的散射机制的散射率表达式和散射终态,给出了所选择的散射机制下的模拟结果及其分析。
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