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本文简要报道了具有势垒加强层的长波长InGaAs MSM-PD和单片集成MSM-PD/FET的进展。本文认为采用高阻掺Fe-InGaAs势垒加强层是有效和简单的,因为它兼有势垒加强和介于MSM-PD与FET结构之间的电隔离作用。
InGaAs MSM—PD及其与FET单片集成的进展
【摘 要】
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本文简要报道了具有势垒加强层的长波长InGaAs MSM-PD和单片集成MSM-PD/FET的进展。本文认为采用高阻掺Fe-InGaAs势垒加强层是有效和简单的,因为它兼有势垒加强和介于MSM-PD
【机 构】
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中国科学院上海冶金所,中国科学院上海冶金所上海200233,上海200233
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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1993年3期
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