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通过射频磁控溅射技术在Si（111）衬底上制备了未掺杂和Nd掺杂ZnO薄膜，研究了衬底温度、氧分压以及Nd不同掺杂浓度等工艺参数对薄膜的影响。薄膜的结构和表面形貌通过XRD分析和AFM观测，表明制备的薄膜为ZnO：Nd纳米多晶薄膜，其表面形貌粗糙，不同沉积条件对薄膜生长有很大的影响。在纯氩气氛中、衬底温度为300℃的条件下，ZnO：Nd薄膜具有c轴择优取向。