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研究了以SiCl4/H2为气源、用等离子体增强化学气相沉积方法,在低于300℃温度下所制备的pc-Si薄膜在长时间的光照下电导率的变化情况。实验结果表明,所制备的多晶硅薄膜具有类稳恒光电导效应,而且薄膜的稳恒光电导特性依赖于薄膜的晶化率和晶粒尺寸,随晶化率的增加和晶粒尺寸的增大而增大。
以SiCl4/H2为气源低温制备pc-Si薄膜的稳恒光电导特性
【摘 要】
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研究了以SiCl4/H2为气源、用等离子体增强化学气相沉积方法,在低于300℃温度下所制备的pc-Si薄膜在长时间的光照下电导率的变化情况。实验结果表明,所制备的多晶硅薄膜具有类
【机 构】
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汕头大学物理系,南京大学物理系
【出 处】
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功能材料
【发表日期】
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2007年5期
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