【摘 要】
：
针对现阶段SiC MOSFET建模研究无法应用在电机控制系统领域的现状,提出了一种基于Matlab/Simulink的SiC MOSFET仿真电路模型.对功率器件的动态特性和静态特性进行综合分析,采
【机 构】
：
广西科技大学电气与信息工程学院,广西柳州 545616;中车唐山机车车辆有限公司,河北唐山 063000
论文部分内容阅读
针对现阶段SiC MOSFET建模研究无法应用在电机控制系统领域的现状,提出了一种基于Matlab/Simulink的SiC MOSFET仿真电路模型.对功率器件的动态特性和静态特性进行综合分析,采用非分段受控电流源模型模拟功率器件静态特性,具体分析SiC MOSFET的开关过程,同时采用曲线拟合的方法对影响器件开关过程的非线性电容进行表征,在Matlab/Simulink 中建立SiC MOSFET等效电路模型.为了验证模型准确性,将仿真结果与数据手册中的数据进行比较分析,仿真结果表明所建模型可以较为准确地描述SiC MOSFET动、静态特性,开通时间和关断时间误差均小于7％,对比结果验证了模型的准确性和有效性.建立的模型为SiC MOSFET在电机控制策略仿真及应用领域提供了参考依据.
其他文献
通过对准垂直型GaN微波整流肖特基二极管结构的研究,建立了二极管势垒层和传输层模型,根据模型提出了图形化和多空气桥结构来应对现有GaN生长技术不成熟带来额外寄生电阻的问
在英语学习过程中,非智力因素主要体现为学生的学习动机、学习兴趣、学习意识和求知欲望等。本文结合日常教学实际,从激发兴趣、培养自信、融洽关系、多方评价四个方面对学生
Joe： Hey， Phoebe. When did we get engaged？ Phoebe： Wow， um…it’s gotta be at least 3 years ago. Joe： And， as far as I know， you still have the same， let’s say， concerns as I do about the wedding， rig
在直拉法生长大直径硅单晶过程中,单晶炉内的温度梯度直接影响单晶生长的质量.分析了炉体内添加水冷板后循环水流速对系统固相温度梯度的影响.研究发现在不影响单晶炉内固液
为了提前预测IGBT的剩余寿命(RUL),减小失效造成的损失并辅助维护,提出了一种基于Transformer模型的RUL预测方法,使用瞬态热阻曲线预测RUL.首先,使用不同的热循环参数进行老
为了研究硅通孔(TSV)转接板及重离子种类和能量对3D静态随机存储器(SRAM)单粒子多位翻转(MBU)效应的影响,建立了基于TSV转接板的2层堆叠3D 封装SRAM模型,并选取6组相同线性能
通常PMOSFET 栅源电压为-20～20 V,而用于GaN 功率放大器的高压PMOSFET 驱动器,其工作电压为28～50 V,因此需要一种新型电路结构来保证PMOSFET 栅源电压工作在额定范围.设计了一
静态随机存储器(SRAM)是集成电路中重要的存储结构单元.由于其制备工艺复杂、关键尺寸较小、对设计规则的要求最为严格,因此SRAM的质量是影响芯片良率的关键因素.针对一款微
对刘勰批评体系建构的探讨,是《文心雕龙》研究中最富有成效的学术领域之一.然而,从中国传统文学批评的内在连贯性或系统性出发,探讨这一系统性著作的研究却明显匮乏.用这种
SiC MOSFET可以提升电力电子器件的功率密度,在特高压直流输电、电动汽车等领域有较好的应用前景,但其特性参数的分散性会影响器件的长期稳定运行.对SiC MOSFET进行了168 h的