【摘 要】
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对重掺杂的硅衬底来说,衬底涡流效应已变得较为明显,如何精确的表征这一方面的影响,对于在标准CMOS工艺上实现的在片螺旋电感建模来说,已显得至关重要.该文给出了一种新的采
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对重掺杂的硅衬底来说,衬底涡流效应已变得较为明显,如何精确的表征这一方面的影响,对于在标准CMOS工艺上实现的在片螺旋电感建模来说,已显得至关重要.该文给出了一种新的采用Transformer Loop来精确表征涡流效应导致的衬底损耗的在片螺旋电感模型,同时采用阶梯4元件结构和一功率电阻Rp来表征电感的趋肤效应和邻近效应,实现了级联电阻的非频变性,可以满足在SPICE等时域仿真器中大小信号及瞬态分析的需要.新的模型同样也适合于对多层电感建模,通过对实际在片电感的测试、验证,给出的模型在较宽的频段内能够精确
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比较了AB-8．NKA-9．NKA-11．D-140．D-101．HPD-600、S-8及聚酰胺等8种吸附树脂对杜仲中的活性成分京尼平甙和松脂醇二葡萄糖甙的吸附及脱附性能．在静态吸附研究的基础上，筛选出效果较好
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