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通过对含有气隙缺陷的冷缩式中间接头建立物理模型，采用等效电路法分析了气隙尺寸、压接管外绕包半导电层的电阻率对气隙场强的影响。结果表明：气隙尺寸与场强成反比关系，当半导电层的电阻率超过一定值时，气隙场强会显著提升，超过空气最大击穿场强。通过对两例实际接头故障情况的分析，得出与模型分析一致的结论，并提出预防措施，为今后35 kV中压电力电缆接头故障的预防及原因分析提供参考。