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研究用卢瑟福背散射/沟道技术测量分析GaN的结构及结晶品质，给出了注入H＋离子束改变GaN的电学特性的实验结果。
新型光电材料GaN的离子束辐照改性与结构分析
【摘 要】
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研究用卢瑟福背散射/沟道技术测量分析GaN的结构及结晶品质，给出了注入H＋离子束改变GaN的电学特性的实验结果。
【机 构】
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（北京大学技术物理系）,（北京大学技术物理系）,（北京大学技术物理系）,（北京大学技术物理系）,（北京大学技术物理系）
【出 处】
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原子能科学技术
【发表日期】
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2000年z1期
【基金项目】
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中国与比利时科技合作项目! (1999A1)
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