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新型光电材料GaN的离子束辐照改性与结构分析
新型光电材料GaN的离子束辐照改性与结构分析
来源 :原子能科学技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:huanghong198122
【摘 要】
:
研究用卢瑟福背散射/沟道技术测量分析GaN的结构及结晶品质,给出了注入H+离子束改变GaN的电学特性的实验结果。
【作 者】
:
姚淑德
孟兆祥
俞苖
张勇
周生强
卢一泓
张国义
童玉珍
【机 构】
:
(北京大学技术物理系),(北京大学技术物理系),(北京大学技术物理系),(北京大学技术物理系),(北京大学技术物理系)
【出 处】
:
原子能科学技术
【发表日期】
:
2000年z1期
【关键词】
:
电阻率
载流子浓度
霍尔效应
resistivity
current carrier concentration
Hall effect
【基金项目】
:
中国与比利时科技合作项目! (1999A1)
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研究用卢瑟福背散射/沟道技术测量分析GaN的结构及结晶品质,给出了注入H+离子束改变GaN的电学特性的实验结果。
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