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ＬＹ８００６型高频高反压大功率硅ＰＮＰ晶体管研制成功，其双结反向击穿电压ＢＶｃｅｏ≥８００Ｖ，耗散功率ＰＤ＝２０Ｗ，特征频率ｆＴ≥２５ＭＨｚ，达到同类器件的国际先进水平。本文重点介绍该器件的技术难点，设计思路及推广应用前景。
LY8006型高频高反压大功率硅PNP晶体管的研制
【摘 要】
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ＬＹ８００６型高频高反压大功率硅ＰＮＰ晶体管研制成功，其双结反向击穿电压ＢＶｃｅｏ≥８００Ｖ，耗散功率ＰＤ＝２０Ｗ，特征频率ｆＴ≥２５ＭＨｚ，达到同类器件的国际先进水平。本文重点介绍该器件的技术难点，设计思路及推广应用前景。
【机 构】
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济南半导体元件实验所,北京工业大学
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1994年2期
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