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本文提出了一种基于MOS工艺拉偏实验的大型SOC(System-On-Chip)的扫描测试方法的研究。针对于硅CMOS工艺进行参数拉偏,测试不同参数组合下芯片扫描测试的结果,得出芯片扫描测试可通过的工艺窗口,给大型SOC量产工艺条件提供参考。实验表明通过拉偏MOS工艺的晶圆进行测试的方法,可以更加准确的掌握芯片的工艺范围,并在实际生产中可以有效地减少芯片的过载率,得到更多可用的芯片。