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<正> 1 曝光设备 由于集成电路由1M向16M进而向256M的方向发展,要求图形线宽跟着进一步缩小。以前较为流行的看法是光学曝光只能用到1μm,进入亚微米以后必须使用电子束等其它曝光技术,但是随着准分子激光光源的出现。光学曝光已突破1μm的禁区。因此,目前亚微米领域
国外半导体微细加工设备发展动向
【摘 要】
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<正> 1 曝光设备 由于集成电路由1M向16M进而向256M的方向发展,要求图形线宽跟着进一步缩小。以前较为流行的看法是光学曝光只能用到1μm,进入亚微米以后必须使用电子束等其
【机 构】
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机电部48研究所410111湖南长沙
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1991年3期
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