MOCVD外延Hg1—xCdxTe／Cd1—yZnyTe薄膜的光致发光

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【摘要】

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利用Raman显微镜系统对两块用MOCVD方法在Cd0.96Zn0.04Te衬底上生长的Hg0.8Cd0.2Te外延薄膜样品在光谱范围50－5000cm^-1进行了测量，在其中的一块样品上首次发现了1．43eV至1．93eV

【作者】

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黄晖姬荣斌等

【机构】

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南开大学物理科学学院光子学中心,昆明物理研究所

【出处】

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发光学报

【发表日期】

：

2002年2期

【关键词】

：

MOCVD Raman显微镜外延生长碲镉汞薄膜镉锌钛化合物 Hg1-xCdxTe/Cd1-yZnyTe薄膜光致发光 MOCVD Hg1-xCdxTe

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利用Raman显微镜系统对两块用MOCVD方法在Cd0.96Zn0.04Te衬底上生长的Hg0.8Cd0.2Te外延薄膜样品在光谱范围50－5000cm^-1进行了测量，在其中的一块样品上首次发现了1．43eV至1．93eV范围内出现的具有周期结构的光致发光峰，该发光峰对应的能带中心位于Hg0.8Cd0.2Te外延层导带底上方1．73eV，在另外一块外延薄膜样品中仅观察到四个Raman散射峰，没有周期结构的发光峰。为了分析上述光致发光的起因，对两块样品进行了X射线的双晶回摆曲线样品结构分析，得出样品在1．

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