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利用Raman显微镜系统对两块用MOCVD方法在Cd0.96Zn0.04Te衬底上生长的Hg0.8Cd0.2Te外延薄膜样品在光谱范围50-5000cm^-1进行了测量,在其中的一块样品上首次发现了1.43eV至1.93eV范围内出现的具有周期结构的光致发光峰,该发光峰对应的能带中心位于Hg0.8Cd0.2Te外延层导带底上方1.73eV,在另外一块外延薄膜样品中仅观察到四个Raman散射峰,没有周期结构的发光峰。为了分析上述光致发光的起因,对两块样品进行了X射线的双晶回摆曲线样品结构分析,得出样品在1.